第二阶段为耕犁阶段，在滑擦阶段，摩擦逐渐加剧，逐步增加的法向应力超过了随（温度上升而下降的材料屈服应力时），切削刃就被压入塑性基体中。经塑性变形的金属被推向磨粒的侧面及前方，终导致表面的隆起。这就是磨削中的耕犁作用，这种耕犁作用构成了磨削过程的第二阶段。③砂轮磨损小、耐用度高。楚雄图a所示SiC所示为常温下SiC系统相图，该图确定了硅基固溶体和熔体的存在范围，SiC的分解温度为2760度，并确定了气相+C、气相+sic、液相+气相、液相+碳；固溶体两相区碳及硅所形成的均相区，在1410℃出现液相+碳固溶体+SiC变量的三相平衡，在2760℃呈现气相+SiC十C无变量三相平衡，图中SiC是唯一的固相二元化合物。②运动接触弧长度lk随着对磨削接触问题研究的深入，人们逐步认识到运动参数对磨削时工件与砂轮的接触弧长度有影响，其接触弧长度要比几何计算的lg长，故考虑运动条件提出了运动接触弧长度的定义：运动接触弧长度lk是指运动磨削弧的长度。德州。专门化研磨机种类繁多。常用的有块规研磨机和金刚砂钢球研磨机。用矾土、黄铁矿(FeS2)，『碳素、铁屑等原料在电弧炉内冶炼及精炼』，出炉倾入接包，进行水清洗→磁选→脱水→酸洗→水清洗→脱水→单晶刚玉。B--研磨盘面圆周方向的分割长度；
Ce-磨刃密度，为砂轮与工件接触面积（上磨粒分布密度和形状有关的）系数。CBN具有类似金楚雄喷砂白刚玉砂刚石的晶体结构，晶格常数a=0.3615nm，晶体中的结合键为沿四面体杂化轨道形成的共价键。其结合键是B，N异类原子间的共价键结合，并带有一定的弱离子键。在理想CBN晶格中，四个B-N键的、键长皆相等，。二。.：156nm，键角为109023'.CBN晶体每一层按紧密球堆积原则构成，f.是同类原子构成。由B原子构成的单层与由N原子构成的单层相互交替。CBN格子具有。a'bb'cc'aa'bb‘的连续层堆垛。立方氮化硼的结构及其(111)晶面、纤锌矿氮化硼的结构及其((001)晶面如图1-29所示。上述各式中，为10-4-10-6s。在极短时间内产生大量磨削热使磨削区产生高温(400-1000℃)金刚砂磨粒与被加工材料的接触时间极短，因而磨削淬火钢工件易烧实际就业的五大专业，楚雄耐磨材料金刚砂价格价格下跌般小心踩坑伤，产生残余应力及裂药品管理修正草提交审议楚雄耐磨材料金刚砂价格价格下跌般新增“疫苗”有何亮点纹。此外，磨削区的高温也会使磨粒发生物理化学变化，造成氧化磨损和扩散磨损等，减弱了金刚砂磨料磨粒的切削性能。在三角形热源分布的情况下，可将整个磨削区的热源看成无限个不断增大的、热源强度为q的线热源从xi=0到xi=q形成的，如图3-44所示。显然，在按三角形热源分布来计算磨削温度场时，其热量Qm可表达为：Qm=q(xi)dxi=2qxi/ldxi圆盘研磨机中摇摆型研磨机使用带有万向接头的研磨碗可研球面，多用于光学零件加工。通过数控装置还可加工非球面，已发展成为数控非球面研磨机。双盘型研磨机有三种运动类型，三种都是行星保持器自转和公转：种是上、下研磨盘均固定不动的，称为双动式(2Way)；第二种是下研磨盘旋转的，称为三动式(3Way)；第三种是上、下研磨盘做同向或反向运动的，称为四动式(4Way)。
图8-75(a)所示为聚氨酯球在溶液中旋转扫描式加工(EEM的数控加工方式)的装置。由于聚氨酯球的旋转，微粒与液体混合的流体，使球体受力抬起，形成一定的浮起间隙。该流|体运动系统属黏新决，楚雄耐磨材料金刚砂价格价格下跌般业受益大？性流体运动方程式的二维流动，可由性流体润滑理论来计算流体膜厚。当球径为28mm，线速度为3chuxiongm/s时，得到的小膜厚为0.7μm。本法通过间隙的流量是一定的，故单位时间作用的磨粒数也是一定的。图8-75(a〕所示为一个三坐标数控系统，聚氨醋球装在数控主轴上，由变速电动chuxiongnaimocailiaojingangshajiage机带动旋转，其载荷为2N。加工硅片表面时，用含直径为naimocailiaojingangshajiage0.15m氧化锆微粉的流体以100m/s速度和与水平面成20°的入射角，向工件表面！发射，其加工精度为&pl|usmn;chuxio【0.1μm】，表面粗糙度Ry值在0.0005μm以下。高价值。vo--常数，在Eo=Ea时，即机械作用时加工速度。次摆线是动园沿平面滚动时，动圆上一点的轨迹。此种轨迹能较好地走遍整个平面不易重合，尺寸一致性好，研磨粗糙度值低。①当量磨削层厚度只反映了运动参数Vs、Vw和ap的影响，并没有包括与砂轮切削性能有关的参数如磨削中的金刚砂轮堵塞、砂轮损钝化、磨粒切削刃的顶面积的变化等，这些均会对磨削过程产生很大影响。楚雄普通磨料抛光工件表面粗糙度-Ra值达0.4μm精密抛光工件表面粗糙度Ra值达0.01μm，精度可达1μm；超精密抛光工件表面粗糙度Rz值达0.05μm。④抛光环境应洁净。显然
